大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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