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1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

  据网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审查发(fā)现(xiàn),美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规,我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán),防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险,维护国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也是(shì)全球存储芯片(p1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间iàn)巨头(tóu)之(zhī)一,2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降,至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

 1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间 公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān),设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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