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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产魏承泽作品集 魏承泽一类的作者品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江魏承泽作品集 魏承泽一类的作者(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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