大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(z说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用hī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较(jiào说明方法有哪些及作用答题格式，三年级说明方法有哪些及作用)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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