大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外五一最适合带孩子去哪旅游，五一带孩子去哪里好玩三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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