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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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