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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已百万美元宝贝真实事件，百万美元宝贝真实事件是真的吗经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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