大家(jiā)好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结漠北是现在的哪里，明朝的漠北是现在的哪里构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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