大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三外科鼻祖是谁？(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(外科鼻祖是谁？fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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