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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗fā)文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、S张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗olidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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