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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日)予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(f我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日àn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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