大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

外国人吃米饭吗，外国人是不是不吃米饭　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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