大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全裤子175是几个x审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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