大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌ng>

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(s陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌ī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。