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　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业一个立一个羽念什么字龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　一个立一个羽念什么字　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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