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cos180°是多少,cos180度等于多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měicos180°是多少,cos180度等于多少)光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患(huàn),对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全(quán)。为此,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī),我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng),只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中cos180°是多少,cos180度等于多少华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng),至少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

cos180°是多少,cos180度等于多少  目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì),公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī))等相关公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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