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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)蝇营狗苟是什么意思 蝇营狗苟下一句全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；202蝇营狗苟是什么意思 蝇营狗苟下一句2年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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