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结婚以后他那个越来越大了

结婚以后他那个越来越大了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一(yī)则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消(xiāo)息,日前(qián),网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查,目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手(shǒu):停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日(rì),中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头(tóu),也是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士结婚以后他那个越来越大了、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng),至少已经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应结婚以后他那个越来越大了的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势(shì),公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生结婚以后他那个越来越大了产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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