大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ā小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式n)全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)小说中反复的作用和表达效果，反复的作用和表达效果答题格式比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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