大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(但使龙城飞将在,不教胡马渡阴山的意思是什么，但使龙城飞将在不教胡马渡阴山的意思huá)销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长但使龙城飞将在,不教胡马渡阴山的意思是什么，但使龙城飞将在不教胡马渡阴山的意思存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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