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三大改造的内容和意义,简述三大改造的内容

三大改造的内容和意义,简述三大改造的内容 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前,网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国(guó)国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全,防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quá三大改造的内容和意义,简述三大改造的内容n)法(fǎ)》,网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发!中国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)!

  美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势,公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

  有券商(shāng)此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单,设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以三大改造的内容和意义,简述三大改造的内容及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等(děng)收入增长。

 

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